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晶體管可分為兩種基本類型

時間:2020-06-04 00:16來源:海獵人

 

晶體管

1947年,AT&T公司的貝爾實驗室制造出了世界上第一個晶體管,世界因此發生了巨大的變化。這些早期的元件用鍺作為半導體材料,比較易碎,也十分昂貴。1954年,硅晶體管出現了,隨后1960年出現了金屬氧化物半導體(MOS)晶體管。

晶體管可分為兩種基本類型:雙極型和場效應型。雙極型晶體管(BJT)有獨特的運行特性,不同于其他任何電子元件。晶體管可以用作放大器、調節器或開關。事實上,調節器的應用與大功率放大器密切相關,不過大多數人可能都不會這樣去考慮電源。當晶體管用作開關時,就構造出了計算機的第一個固態邏輯電路的基礎,后來速度更快的元件在無線電通信和雷達系統中得到了應用。BJT元件的構造是NPNPNP,這指的是用來制造元件的半導體類型和元件內部的構造。附錄A更詳細地討論了半導體結點的問題,附錄C中的內容則更加詳細。

場效應晶體管(FET)可以是N通道或P通道元件,這取決于制作方法。它們也有很多種變化形式,從最原始的形式一直到更現代的MOSFET都包括其中。每種類型的晶體管都有自己獨特的特性,例如電流處理能力、電壓范圍、開關速率等使其適用于特定應用的特性。

9-20展示了NPNPNPBJT的原理圖符號。附錄B列舉了一系列完備的原理圖符號,包括各種類型的晶體管。關于固態元件概念的綜述,請參考附錄A。

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 9-20 BJT 晶體管的標準原理圖符號

B、C、E三個字母指代BJT元件三個極的名稱,分別是基極、集電極和射極。在BJT中,電流從E極和C極之間流過,而B極的作用則相當于控制輸入。

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